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用RF磁控溅射法制备了TiO2薄膜,考察了工作压强、靶与基片距离对薄膜沉积速率、均匀性的影响以及靶材料、基片及退火温度对薄膜晶体结构的影响. 获得的TiO2薄膜在很宽的温度范围(400～900℃)内保持锐钛矿型晶体结构.
RF磁控溅射制备TiO2薄膜及其性能讨论
【摘 要】
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用RF磁控溅射法制备了TiO2薄膜,考察了工作压强、靶与基片距离对薄膜沉积速率、均匀性的影响以及靶材料、基片及退火温度对薄膜晶体结构的影响. 获得的TiO2薄膜在很宽的温度
【机 构】
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暨南大学,暨南大学
【出 处】
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暨南大学学报(自然科学与医学版)
【发表日期】
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2004年3期
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