带有软启动电路的高精密CMOS带隙基准源

• 作 者: 张强 田泽 王进军 刘宁 王谨
• 机 构: 西北大学信息科学与技术学院
• 出 处: 微电子学与计算机
• 发表日期: 2007年6期
• 关键词: CMOS 带隙基准 软启动电路 温度补偿 电源抑制比 CMOSbandgap voltage referencesoft-Start up cireuittem

提出了一种新颖的带有软启动的高精密CMOS带隙基准电压源。采用UMC的0.6μm2P2M标准CMOS工艺进行设计和仿真,HSPICE模拟表明该电路具有较高的精度和稳定性，带隙基准的输出电压为1.293V，在1.5V～4V的电源电压范围内基准随输入电压的最大偏移为0.27mV。基准的最大静态电流约为19μA；在-40℃～120℃的温度范围内。基准随温度的变化约为4.41mV。产生的偏置电流基本上不受电源电压的影响，而与温度成线性关系；在电源电压为3V时。基准的总电流约为14.25μA，功耗约为42.74μW