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由于在ＧａＡｓ和Ｓｉ单晶材料是有着很大的格子常数及线性热膨胀系数差别，所以在Ｓｉ上生长的ＧａＡｓ异质外延薄膜（ＧａＡｓ／Ｓｉ）中会存在着界面失配形变与高密度的结构缺陷。我们的实验显示，ＧａＡｓ／Ｓｉ外延膜的无序与其生长条件有关，尤其与其Ａｓ／Ｇａ比密切相关。与ＧａＡｓ／Ｓｉ无序相关的失配位错、线位错及畴区的形貌已用扫描电子显微镜作了观察；与深能级相关的缺陷与其形貌间的关联也已用实验说明。对于高有序