【摘 要】
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考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9:1的多晶CuAlO2靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500℃附近,薄膜在
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,兰州大学磁学与磁性材料教育部重点实验室,
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考虑到铜铝溅射速率的差别,使用铜铝比例为0.9:1的多晶CuAlO2靶材,用射频磁控溅射法制备Cu-Al-O薄膜.研究不同衬底温度对薄膜光学电学性能的影响.在衬底温度500℃附近,薄膜在可见光范围内具有很好的透光性,达到70%,计算拟合得到直接帯隙为3.52eV,与CuAlO2相的理论值符合较好.在室温附近,薄膜导电符合半导体热激活机理,在衬底温度为500℃附近薄膜电导率达到2.48×10-3S·cm-1.
Taking into account the difference of copper-aluminum sputtering rate, a Cu-Al-O thin film was prepared by RF magnetron sputtering using a polycrystalline CuAlO2 target with a Cu / Al ratio of 0.9: 1. The effects of different substrate temperatures on optical and electrical properties The film has a good transparency in the visible range of 70% at a substrate temperature of 500 ℃, and the calculated direct gap is 3.52eV, which is in good agreement with the theoretical value of CuAlO2 phase. In the vicinity of room temperature, the film conductivity conforms to the semiconductor thermal activation mechanism, and the conductivity of the film reaches 2.48 × 10 -3 S · cm -1 near the substrate temperature of 500 ° C.
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