【摘 要】
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介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况.结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配
【机 构】
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华北光电技术研究所,北京,100015
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介绍了GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器(Quantum Well Infrared Photodetector,QWIP)的低电阻欧姆接触研究情况.结合热处理工艺,通过测试I-V特性对Ni/AuGe/Au金属体系的不同搭配进行了实验,确定了适合n+ GaAs/Al-GaAs的电极体系,并对沉积金属后的热处理条件进行了初步研究.在400℃、氮气氛围、60 s的条件下,采用传输线模型计算后,在n+ GaAs(1×1018 cm-3)上取得了比接触电阻为3.07×10-5 Ω·cm2的实验结果.
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