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本文给出了一个E/D型结构集成电路中增强型和耗尽型调制掺杂Ga1-xAlxAs-GaAs异质结二维电子气场效应晶体管（MODFET）模型,并系统地分析了它们的材料选取和结构参数。便于相容性工艺制造,增强型晶体管用三层结构;耗尽型晶体管用四层结构。计算方法主要应用了二维电子气散射理论,Joyce-Dixon近似,以及泊松方程等。文内给出了主要计算结果。