PD SOI nMOSFETs中浮体效应对辐照性能的影响

• 作 者: 赵洪辰 海潮和 韩郑生 钱鹤
• 机 构: 中国科学院微电子研究所
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2005年2期
• 关键词: 浮体效应 辐照 SOI floating body effect radiation hardness SOI

在SIMOX衬底上制备了H形栅和环形栅PD SOI nMOSFETs，并研究了浮体效应对辐照性能的影响，在10^6rad(Si)总剂量辐照下，所有器件的亚阈特性未见明显变化．环形栅器件的背栅阈值电压漂移比H型栅器件小33％，其原因是碰撞电离使环形栅器件的体区电位升高，在埋氧化层中形成的电场减小了辐照产生的损伤,浮体效应有利于改进器件的背栅抗辐照能力.