低剂量X射线照射诱导体外EL-4淋巴瘤细胞凋亡适应性反应及其可能机制

• 作 者: 刘淑春 龚平生 王志成 孙丽光 龚守良
• 机 构: 吉林大学公共卫生学院卫生部放射生物学重点实验室
• 出 处: 辐射研究与辐射工艺学报
• 发表日期: 2008年2期
• 关键词: 电离辐射 淋巴瘤细胞 细胞凋亡 凋亡基因 抗凋亡基因 适应性反应 Ionizing radiation Lymphoma cell Cell apoptos

用X射线照射离体EL-4淋巴瘤细胞，其诱导剂量（D1）为25～200mGy（剂量率12．5mGy／min），攻击剂量（D2）为1．5Gy（剂量率287mGy／min），D1和D2间隔6h。通过流式细胞仪检测其细胞凋亡百分数及其相关基因蛋白表达水平。其结果显示，当D1为25～100mGy，D2为1．5Gy；或D1为75mGy，D2为0．5～2．0Gy，与D2组比较，D1＋D2组细胞凋亡百分数有显著意义降低。当D1为25～100mGy，D2为1．5Gy，与D2组比较，D1＋D2组Bcl-2蛋白阳性百分数不同程