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2.5G DFB量子阱激光器p型欧姆接触电极的研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dfqq209

【摘要】

：

对２．５ＧＤＦＢ量子阱激光器ｐ型低阴欧姆接触电极进行了研究，在退火温度４００℃，退火时间３０ｓ进行快速热退火条件下，对Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ／ＩｎＡｓ／ｐ＾＋－ＩｎＧａＡｓ（掺Ｚｎ〉１×１０＾１９ｃｍ＾－３）／ＭＱＷ／ｎ－ＩｎＰ和Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ／ｐ＾＋－ＩｎＧａＡｓ（掺Ｚｎ〉１×１０＾１９ｃｍ＾－３）／ＭＱＷ／ｎ－ＩｎＰ两种结构进行了ｐ型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行

【作者】

：

李秉臣彭晔

【机构】

：

中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2000年3期

【关键词】

：

能带工程串联电阻量子阱激光器欧姆接触电极 Band engineering Ohmic contact Series resistance

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对２．５ＧＤＦＢ量子阱激光器ｐ型低阴欧姆接触电极进行了研究，在退火温度４００℃，退火时间３０ｓ进行快速热退火条件下，对Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ／ＩｎＡｓ／ｐ＾＋－ＩｎＧａＡｓ（掺Ｚｎ〉１×１０＾１９ｃｍ＾－３）／ＭＱＷ／ｎ－ＩｎＰ和Ａｕ－Ｐｔ－Ｔｉ／ｐ＾＋－ＩｎＧａＡｓ（掺Ｚｎ〉１×１０＾１９ｃｍ＾－３）／ＭＱＷ／ｎ－ＩｎＰ两种结构进行了ｐ型欧姆接触试验研究，并对两者串联电阻进行了比较，其结果前者的串联

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