高压串级延迟击穿开关在快前沿脉冲触发源中的应用

• 作 者: 孙铁平 韩娟娟 吴撼宇 黄涛 张国伟 丛培天 蒯斌 曾正中
• 机 构: 西北核技术研究所
• 出 处: 强激光与粒子束
• 发表日期: 2007年10期
• 关键词: 延迟击穿开关 脉冲触发源 脉冲变压器 脉冲陡化 Delayed breakdown DBD switch Trigger generator Pulse tra
• 基金项目: 国家自然科学基金资助课题（10035020）

报导了一种高压串级延迟击穿（DBD）开关在快脉冲触发源中的应用,介绍了脉冲源的电路结构和工作原理,并将DBD开关成功应用于快前沿脉冲触发源,获得了明显的脉冲陡化效果。串级DBD开关的级数为15级,直流击穿电压45 kV,脉冲工作电压60 kV,脉冲前沿由95 ns减小到21.5 ns,脉冲宽度50 ns。