SiGe/SiHBT离子注入自对准的研究

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介绍了离子注入技术自对准制作SiGe/SiHBT的方法,分析了对器件特性的影响。 The method of self-aligned fabrication of SiGe / SiHBT by ion implantation is introduced, and the influence on device characteristics is analyzed.
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