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采用电子束蒸发技术在衬底温度为180℃条件下生长具有Ge覆盖层的非晶Si薄膜，并于500℃、600℃、700℃真空退火5h。采用Raman散射、X射线衍射（XRD）、全自动数字式显微镜等对所制备薄膜的晶化特性进行研究。结果表明，Ge覆盖层具有诱导非晶Si薄膜晶化的作用，且随着退火温度的升高a-si薄膜晶化越显著。具有Ge覆盖层非晶薄膜经500℃退火5h沿Si（400）方向开始晶化，对应晶粒尺寸约为4．9nm。将退火温度升高到700℃时，非晶硅薄膜几乎全部晶化，晶化多晶Si薄膜在Si（400）方向表现出很强