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东芝公司近日宣布，该公司已经开发出适用于低功耗微控制器备用RAM的极低泄漏65纳米静态随机存储器（SRAM），它可以实现从深度休眠模式快速唤醒。东芝已经开发了一种泄漏率低于传统SRAM千分之一的极低泄漏SRAM；当采用65纳米工艺时每比特泄露电流为27fA。
东芝开发出可以使低功耗微控制器从深度休眠模式快速唤醒的极低泄漏SRAM
【摘 要】
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东芝公司近日宣布，该公司已经开发出适用于低功耗微控制器备用RAM的极低泄漏65纳米静态随机存储器（SRAM），它可以实现从深度休眠模式快速唤醒。东芝已经开发了一种泄漏率低于传统S
【出 处】
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今日电子
【发表日期】
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2014年3期
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