卢瑟福背散射谱和红外干涉反射谱研究冷注入锗离子对单晶硅的损伤

• 作 者: 肖清华 王敬欣
• 机 构: 北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司,北京有色金属研究总院科技信息研究所
• 出 处: 稀有金属
• 发表日期: 2009年6期
• 关键词: 硅 锗 冷注入 损伤 卢瑟福背散射谱 红外干涉反射谱 silicon germanium cool implantation damage Rutherfor

主要研究锗离子在77K温度下的冷注入对单晶硅片表面的预非晶化效果，并与室温注入情形予以对比。卢瑟福背散射谱（RBS）和红外干涉反射谱被用于对非晶层的研究。实验表明，冷注入要比室温注入的退沟道效应更为显著，反射率降低更为明显，意味着引入的损伤更为严重，更容易使硅单晶非晶化。而且，冷注入产生的最大损伤峰比室温注入的位于更深的位置，相应的非晶层／硅单晶衬底界面有更深的推入。结果还表明，同样的注入温度下，剂量越大，损伤越严重。