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本文比较了标准氧化法,低温氧化、高温退火的两步氧化法及中间退火的两步HCl氧化法的优缺点,从而提出了三步HCl氢化的方法。采用此种方法所制得的氧化膜耐压有所提高,界面态密度、表面电荷及缺陷密度有所下降,采用此法生长栅氧化膜制出的CMOS电路,取得了良好的结果。
制备薄栅氧化膜的研究
【摘 要】
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本文比较了标准氧化法,低温氧化、高温退火的两步氧化法及中间退火的两步HCl氧化法的优缺点,从而提出了三步HCl氢化的方法。采用此种方法所制得的氧化膜耐压有所提高,界面态
【机 构】
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骊山微电子研究所,骊山微电子研究所陕西临潼,陕西临潼,陕西临潼
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1989年1期
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