欧洲通力合作发展GaN技术

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工程技术人员目前正在迫切等待在一项新的欧洲研究计划指导下制造的首批GaN晶片的结果。这项新的欧洲研究计划可快速启动开发该地区的宽禁带半导体。这项由欧洲太空署赞助860万欧元(1140万美元)的GREAT2计划正式起始于2008年6月,并预定今年春季提供首批成果。据该项计划的协调 Engineers are currently awaiting the results of the first GaN wafers manufactured under a new European research program. This new European research program can quickly launch the development of wide bandgap semiconductors in the region. The GREAT2 project sponsored by the European Space Agency with a total cost of 8.6 million euros (11.4 million U.S. dollars) officially started in June 2008 and is scheduled to deliver the first results this spring. According to the plan’s coordination
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