日本制造出只有一个原子厚的硅薄膜

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日本北陆尖端科学技术大学院大学30日宣布,其研究小组开发出能制作大面积硅薄膜“silicene”的技术。这种只有一个原子厚的薄膜,可具备半导体的性质,有望用于制造高速电子线路等。研究小组在1厘米长、1厘米宽的硅基板表面,覆盖上陶瓷薄膜,然后在特殊真空装置中将其加热到900摄氏度。于是,硅基板所含的硅元素就穿透陶瓷薄 Japan's Hokuriku Graduate School of Science and Technology announced on the 30th its research team has developed a large area can produce silicon film “silicene” technology. This is only one atom thick film, with the properties of semiconductors, is expected to be used for the manufacture of high-speed electronic circuits. The research team covered a 1 cm long, 1 cm wide silicon substrate with a ceramic film and heated it to 900 degrees Celsius in a special vacuum. As a result, silicon contained in the silicon substrate penetrates the ceramic thin
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