应用于非破坏性读出铁电存储器的MFIS FET制备及其特性

• 作 者: 颜雷 林殷茵 等
• 机 构: 复旦大学微电子所ASIC和系统国家重点实验室
• 出 处: 半导体学报
• 发表日期: 2002年3期
• 关键词: 铁电存储器 非破坏性读出 铁电薄膜 MFIS FET metal/ferroelectric/(insulator)/semiconductor ferroel
• 基金项目: 国家自然科学基金,,上海 AM基金,,国防科技预研基金,,博士点基金资助项目~~

将ZrO2和PZT的sol-gel薄膜制备技术应用到非破坏性读出铁电存储器中，制作出应用Al/PZT/ZrO2/p-Si结构的MFIS电容和单管MFIS FET，研究了MFIS电容的界面和存储窗口特性，结果表明ZrO2介质阻挡层和Si衬底以及PZT的附着良好，在±5V测试电压、1MHz测试频率下，存储窗口电压为2.6V左右，与相应的铁电薄膜的正、负矫顽电压差值的比为0.8，对于宽长比为500um/50um器件，采用栅极与源极、漏极写入方式，±10V时在写入电压下得到理想的输入-输出特性