【摘 要】
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本文采用辉光法和离子注入技术制备了五种不同结构的a-Si∶H肖特基势垒,测试了这些结构的电流—电压特性,计算了各种样品的势垒高度。结果表明:当a-Si∶H掺杂浓度足够大时,电
【机 构】
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电子科技大学微电子技术与电子材料系,电子科技大学微电子技术与电子材料系,电子科技大学微电子技术与电子材料系
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本文采用辉光法和离子注入技术制备了五种不同结构的a-Si∶H肖特基势垒,测试了这些结构的电流—电压特性,计算了各种样品的势垒高度。结果表明:当a-Si∶H掺杂浓度足够大时,电流—电压关系将出现“反转”,提高a-Si∶H中的杂质浓度或在本征a-SI∶H中注入Zn+离子均可降低势垒高度;作者予言,掺入金属元素使a-Si∶H半金属化,可望进一步降低肖特基势垒高度。
In this paper, five kinds of a-Si: H Schottky barriers have been fabricated by glow and ion implantation techniques. The current-voltage characteristics of these structures have been tested and the barrier height of various samples has been calculated. The results show that when the a-Si: H doping concentration is large enough, the current-voltage relationship will be “reversed” to increase the impurity concentration in a-Si: H or inject Zn + ions into the intrinsic a-SI: H Can reduce the barrier height; the author states that incorporation of metal elements to a-Si: H semi-metallization, is expected to further reduce the Schottky barrier height.
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