【摘 要】
：
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄
【机 构】
：
浙江大学硅材料国家重点实验室,香港科技大学物理系
论文部分内容阅读
用分子束外延法(MBE),在铟锡氧化物(ITO)导电玻璃衬底上生长了ZnSSe薄膜,详细研究了薄膜的光电特性.通过控制反应时的生长参数,制备出了符合紫外液晶光阀设计要求的光导层薄膜.室温下,该薄膜光谱响应截止边的响应度为0.01A/W,紫外/可见光响应对比度大于103.薄膜的暗电阻率随薄膜晶粒增大而减小,在衬底温度为2900C时,所获得的ZnSSe薄膜具有4.3×1011Ω@cm的暗电阻率.频率从40Hz到4000Hz的交流特性测试,也证实该薄膜符合器件紫外成像的工作要求.
其他文献
术后疼痛和机体对手术创伤的过度应激反应是影响患者术后康复的重要因素.全麻复合硬膜外麻醉开胸手术后应用硬膜外镇痛能抑制机体应激反应,有效凋控机体机能,为胸科手术后镇
目前儿童糖尿病患病率逐渐升高,安全有效降糖十分重要,而各类在成人糖尿病患者中广泛应用的抗糖尿病药物并非完全适合儿童患者.二甲双胍是唯一被批准用于儿童的口服降糖药,它
新产品开发周期的缩短,使企业间信息的共享、交换变得尤为重要.本文旨在构建企业整个供应链上网络化信息集成环境-公共数据中心,为制造业服务,促成企业、产品、计算机、协议
西部大开发从本质上说就是西部城市化。西部大开发战略的具体落实应该体现在城市上，本文分析了西部地区城市化进程的基本特点，面临的问题，阐述了西部城市化战略的原则与目标，并对
介绍了用电子束直写技术在GaAs圆片上制作≤0.5μm栅和T形栅的工艺技术,并在GaAs器件的研制中得到应用。
The technology of making ≤0.5μm gate and T-gate on GaAs wafe
现有研究将复用的自相似业务流Hurst参数值确定为各个业务流中最大的H参数值,与业务流的其他性质无关,这一结论用于网络设备的设计不利于网络资源的有效利用。本文采用简单近
文章提出了一种基于软计算的感应电机无速度传感器控制方案,用以提高无速度传感器控制的低速性能.采用T-S模糊估计器,通过定子电流和定子频率估计定子电阻,以Elman网络为电流
建立了大型石油装备选型投资的综合评价指标体系 ,该体系包括技术、经济、生产、安全环保及技术支持 5个一级指标 ,和先进性、标准化、设备投资回收期、财务净现值、设备能力
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜,其N/Al比为0.618:1,扩展电阻结果表明其绝
从借助专业扫描工具,轻松应对WEB应用安全;虚拟化构建的集中与交付的架构,实现更深层次安全性;借助专业扫描工具,轻松应对WEB应用安全;运营商发挥网络优势,面向外部提供安全