MoO_3作空穴注入层的有机电致发光器件

• 作 者: 侯林涛 刘彭义 张靖磊 武春红 李艳武 吴冰
• 机 构: 暨南大学理工学院物理系
• 出 处: 发光学报
• 发表日期: 2010年3期
• 关键词: 有机电致发光 三氧化钼 电容测量 欧姆注入 光伏测量 OLED molybdenum oxide capacitance measurements ohmic
• 基金项目: 广东省自然科学基金（8451063201000074）,广东高校优秀青年创新人才培育项目（LYM08021）,暨南大学青年基金（51208031）资助项目

研究了三氧化钼（MoO3）薄层作为有机电致发光器件空穴注入层的器件性能和注入机制。发现1nm厚度下发光器件性能最佳,器件的最大电流效率比对比发光器件的最大电流效率提高1.6倍。器件的电容曲线表明MoO3薄层能有效提高空穴载流子的注入,多数载流子开始注入的拐点大约降低了9V。单空穴载流子电流曲线说明MoO3器件的电流注入是空间电荷受限电流注入机制,MoO3使阳极界面处形成欧姆接触,而对比器件的电流注入是陷阱电荷受限电流注入机制。器件的光伏曲线进一步说明器件性能的提高是由于MoO3层能使阳极界面能级分布发生改