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利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺（RF-PECVD）制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的高质量非晶硅锗薄膜。在此基础上制备出效率为6.65%的非晶硅锗（a-SiGe∶H）单结太阳能电池。
用于薄膜太阳能电池的非晶硅锗制备与性能研究
【摘 要】
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利用射频等离子体增强化学气相沉积工艺（RF-PECVD）制备非晶硅锗薄膜,研究氢稀释率和衬底温度对薄膜光电性能的影响。通过二者的优化制备出光学带隙1.5 eV、光敏性6×104的
【机 构】
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华中科技大学光学与电子信息学院,河北汉盛光电科技有限公司
【出 处】
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人工晶体学报
【发表日期】
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2012年6期
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