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【摘 要】
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对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了＾６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退炎行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｎ的引入，能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减少辐照后界面陷阱的退火速率。用
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年5期
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