【摘 要】
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Si中浅结经离子注入调整阈值后,除非在高温下退火,不然就显示漏电流增加。在超大规模集成电路技术中,高温处理是不合乎要求的。我们发现As和P注入结在背面吸杂处理后,阈值调
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Si中浅结经离子注入调整阈值后,除非在高温下退火,不然就显示漏电流增加。在超大规模集成电路技术中,高温处理是不合乎要求的。我们发现As和P注入结在背面吸杂处理后,阈值调整注入后的退火温度允许从1100℃降低到950℃,并且可得到一个低漏电流密度。
Si shallow junction after ion implantation to adjust the threshold, unless annealed at high temperatures, otherwise it shows increased leakage current. In VLSI technology, high temperature processing is undesirable. We found that after the As and P implant junctions on the back-side gettering process, the threshold anneal temperature after the implant was allowed to decrease from 1100 ° C to 950 ° C and a low leakage current density was achieved.
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