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采用Ar 激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。
激光诱导气相热化学光刻的阈值及速率变化特性
【摘 要】
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采用Ar 激光对Ge等半导体材料进行了光刻研究。实验发现存在两种阈值, 表面扫描光刻具有较低的阈值, 刻穿则要求更高的光强。刻蚀速率随着深度的增加而减小, 高掺杂半导体的光刻速率大于低掺杂样品。
【机 构】
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上海市激光技术研究所西安电讯工程学院
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1987年14期
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