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采用ＳＩＭＳ测定Ａｌ，Ｎｉ等二次离子的束流强度与阻止电压曲线新技术，研究了ＣｅＯ２对１１００℃恒温氧化条件下形成的Ａｌ２Ｏ３型氧化膜和膜／基体界面处的原子结合能的影响，并结合添加ＣｅＯ２增加了原子间结合能的实验结果，分析了ＣｅＯ２影响Ａｌ２Ｏ３氧化膜生长动力学的微观机制。
CeO2质点对Al2O3型氧化膜和膜／基体界面的原子结合能的影响
【摘 要】
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采用ＳＩＭＳ测定Ａｌ，Ｎｉ等二次离子的束流强度与阻止电压曲线新技术，研究了ＣｅＯ２对１１００℃恒温氧化条件下形成的Ａｌ２Ｏ３型氧化膜和膜／基体界面处的原子结合能的影响，并结合添加ＣｅＯ２增加了原子间结合能的实验结果，分析
【机 构】
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中国科学院腐蚀科学开放研究实验室
【出 处】
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材料工程
【发表日期】
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1995年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目
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