TFT-AMLCD绝缘层a-SiNx∶H的制备

• 作 者: 钱祥忠 杨开愚 陈旋
• 机 构: 电子科技大学,电子科技大学
• 出 处: 半导体光电
• 发表日期: 2002年2期
• 关键词: PECVD 非晶氮化硅薄膜 绝缘层 PECVD a-SiNx∶H films insulator

用等离子体化学气相沉积法(PECVD)在玻璃基板上淀积了厚度约1μm的非晶氮化硅(a-SiNx∶H)薄膜,在最佳工艺下得到薄膜的性能参数,折射率为1.8左右,光吸收系数为1.2×102～2×102cm-1,相对介电常数为7～8.4,电荷面密度为2.5×1012～3.1×1012cm-2.这种薄膜比较适合于用作薄膜晶体管-有源矩阵液晶显示器(TFT-AMLCD)的栅绝缘层.