【摘 要】
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用等离子体化学气相淀积(PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜(SiOF薄膜).通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析,研究了氟掺入后薄膜结构的变化,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性
【机 构】
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复旦大学电子工程系,台湾集成电路制造公司TSMC
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用等离子体化学气相淀积(PECVD)制备了含氟氧化硅薄膜(SiOF薄膜).通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)分析,研究了氟掺入后薄膜结构的变化,并进一步讨论了氟对薄膜介电常数及吸水性的影响.研究表明氟掺入后改变了Si-O键上的电荷分布,降低了薄膜中Si-O键的极性,导致Si-O键伸缩振动吸收峰发生蓝移.同时氟的掺入抑制了强极性Si-OH键的形成.这些变化有利于薄膜中离子极化和偶极子转向极化的降低,因而使薄膜介电常数减小.对Si-F吸收峰的高斯拟合表明,在氟含量较高时,薄膜中掺入的氟一部分会以SiF2结构存
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