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从热力学角度对ＬＰＥ中同时 Ｓｉ氧化与ＳｉＯ２腐蚀的动态平衡过程进行了分析，表明在Ｓｉ的低温同质液相外延中，一般的ＬＰＥ条件很难解决防止Ｓｉ的氧化问题。作者尝试采用饱和Ｓｎ源保护Ｓｉ衬底的方法来解决硅氧化问题，通过对外延层表面形貌和成分的分析研究，表明采用Ｓｎ源保护成功地解决了硅的氧化问题。
关于硅薄膜液相外延中氧化问题的若干讨论
【摘 要】
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从热力学角度对ＬＰＥ中同时 Ｓｉ氧化与ＳｉＯ２腐蚀的动态平衡过程进行了分析，表明在Ｓｉ的低温同质液相外延中，一般的ＬＰＥ条件很难解决防止Ｓｉ的氧化问题。作者尝试采用饱和Ｓｎ源保护Ｓｉ衬底的方法来解决硅氧化
【机 构】
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上海大学材料科学与工程学院
【出 处】
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上海大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2000年3期
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