【摘 要】
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半导体桥（SCB）通过桥膜放电进行含能材料的点火,具有低点火能量、高安全性以及能与数字逻辑电路组合等优点。文章利用原子发射光谱技术研究了其放电特性。首先用Cu原子谱线510.
【机 构】
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南京理工大学化工学院,巢湖大学化学系
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半导体桥（SCB）通过桥膜放电进行含能材料的点火,具有低点火能量、高安全性以及能与数字逻辑电路组合等优点。文章利用原子发射光谱技术研究了其放电特性。首先用Cu原子谱线510.5和521.8nm进行温度测量,用Si原子谱线390.5nm和Si离子线413.0nm进行电子密度测量,同时获得SCB放电温度和电子密度随时间分布的测量结果。在放电电压为20V,充电电容为47μF条件下,1.0Ω的SCB放电温度分布在2500～4300K之间,电子密度约为10^16cm^-3左右。然后根据光谱诊断结果,结合等离子体成立
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