氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备(英文)

• 作 者: 马仙梅 杨小天 朱慧超 王超 高文涛 金虎 齐晓薇 高博 付国柱 荆海 马凯 常遇春 杜国同
• 机 构: 长春光学精密机械与物理研究所,长春光学精密机械与物理研究所,吉林大学,吉林建筑工程学院,长春光学精密机械与物理研究所,长春光学精密机械与物理研究所,长春光学精密机械与物理研究所,长春光学精密机械与物理
• 出 处: 电子器件
• 发表日期: 2008年01期
• 关键词: ZnO 氧化锌 氧化锌薄膜 薄膜晶体管 MOCVD 晶面 衍射峰 英文 vapour fabricate

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜。XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO薄膜是主度的c轴取向。基于ZnO薄膜基础,我们制备了ZnO基薄膜晶体管。

ZnO thin films were grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The XRD pattern shows a strong diffraction peak at the (002) plane, indicating that the grown ZnO thin film is a c-axis oriented main body. Based on the ZnO thin film foundation, we prepared a ZnO-based thin film transistor.