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利用Ｋ，Ｐ方法计算了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ的１０．０ｎｍ阱宽应变量子阱在１％压缩应变，无应变和１％伸张应变三种情况下的能带结构及其态密度。结果表明在阱宽较宽时，伸张应变在开始很大能量之内子带较少，在一段能量范围之内，具有比无应变时小的态密度，因此从此带角度考虑，在伸张应变时，利用增大陆宽将可以改善器件性能。