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本文论述了进一步降低晶体管低频噪声的限制,利用磷通过热生长薄氧化层扩散制成新型漂洗发射极晶体管,讨论了器件在降低进入晶体的过量磷原子、控制诱生缺陷和发射区边缘缺陷的作用。实验结果表明,漂洗发射极晶体管的小电流增益均匀性好,具有良好的低频噪声特性,是一种工艺比较简化,性能较好的低频低噪声器件。
新型漂洗发射极晶体管—低频低噪声器件
【摘 要】
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本文论述了进一步降低晶体管低频噪声的限制,利用磷通过热生长薄氧化层扩散制成新型漂洗发射极晶体管,讨论了器件在降低进入晶体的过量磷原子、控制诱生缺陷和发射区边缘缺陷
【机 构】
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华南工学院,上海科技大学分部,华南工院学
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1989年2期
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