【摘 要】
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利用ＭＥＶＶＡ（ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ）离子源进行离子束合成，制备了Ｃ＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品，并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况．椭偏光谱测量波长范围为４００～２０００ｎｍ．通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析，可得到离子
【机 构】
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四川大学光电系,四川工业学院物理教研室,电子科技大学光纤实验室
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利用ＭＥＶＶＡ（ｍｅｔａｌｖａｐｏｒｖａｃｕｕｍａｒｃ）离子源进行离子束合成，制备了Ｃ＋离子注入单晶Ｓｉ衬底的样品，并利用椭偏光谱法研究了退火和未退火两种情况．椭偏光谱测量波长范围为４００～２０００ｎｍ．通过对所测量样品的椭偏光谱数据分析，可得到离子束合成ＳｉＣ／Ｓｉ异质结构的多层膜结构．椭偏光谱法的测量结果证实：退火样品形成了ＳｉＣ埋层，即使进行高温、长时间退火处理，该埋层ＳｉＣ仍难以得到ＳｉＣ体材料的光学常数
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主管:国家新闻出版广电总局主办:国家新闻出版广电总局广播电视规划院出版:广播电视规划院信息研究所1.邮局订阅邮发代号:2-54720元/期,全年240元2.即日起截止到2017年底向本