【摘 要】
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针对6kV/1000kW高压变频器中集成门极换流晶闸管I（ntegnated Gate Commutation Thyristor,简称IGCT）的串联缓冲电路进行了设计。在分析串联缓冲电路的同时,计算了吸收电容和吸
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针对6kV/1000kW高压变频器中集成门极换流晶闸管I（ntegnated Gate Commutation Thyristor,简称IGCT）的串联缓冲电路进行了设计。在分析串联缓冲电路的同时,计算了吸收电容和吸收电阻的取值范围。而后,对缓冲电路进行了PSIM仿真和试验,通过仿真和试验波形的比较,验证了缓冲电路的工作效果。结果表明,吸收电容和吸收电阻的取值合适,能够对IGCT起到很好的保护。
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