【摘 要】
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以Cu基预合金粉为基体,加入SiC、Si3N4、B4C多元陶瓷作为颗粒增强相,利用粉末冶金法通过真空热压烧结工艺制备了SiC、Si3N4、B4C多元陶瓷/Cu基复合材料,并用激光脉冲法测试其
【机 构】
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汉江师范学院汽车与电子工程系,湖北十堰,442000
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以Cu基预合金粉为基体,加入SiC、Si3N4、B4C多元陶瓷作为颗粒增强相,利用粉末冶金法通过真空热压烧结工艺制备了SiC、Si3N4、B4C多元陶瓷/Cu基复合材料,并用激光脉冲法测试其室温条件下的导热性能。研究发现,随着SiC、Si3N4、B4C多元陶瓷含量的增加,复合材料的热导率逐渐减小,特别是当SiC、Si3N4、B4C多元陶瓷总质量分数大于15.0%以后,热导率急剧下降。复合材料内部的孔隙以及晶界、晶格畸变、位错等缺陷是影响热导率的主要因素。要获得导热性能良好的复合材料,应严格控制SiC、Si3N4、B4C多元陶瓷的质量分数在15.0%以内,并且可以考虑通过退火以及二次挤压等方法进一步提高致密度,减少烧结体内的位错、孔隙等缺陷,从而提高导热性能。
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