【摘 要】
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采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提
【机 构】
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中国科学院安徽光学精密机械研究所,郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,
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采用直流磁控溅射法制备ZnO∶Al(AZO)透明导电薄膜,薄膜电阻率为5.3×10-4Ω.cm,可见光区平均透过率大于85%。采用施加缓冲层的方法,在AZO和NPB之间加入一层Al2O3绝缘薄膜,提高了AZO阳极有机电致发光器件的性能,分析了Al2O3缓冲层的作用机理。结果表明施加1.5 nm缓冲层后器件的电流效率是单纯AZO阳极器件的3.4倍,同时也高于传统ITO器件。
ZnO: Al (AZO) transparent conductive thin films were prepared by direct current magnetron sputtering. The resistivity of the films was 5.3 × 10-4Ω.cm, and the average transmittance in the visible region was more than 85%. Adopting the method of applying buffer layer, a layer of Al2O3 insulating film was added between AZO and NPB to improve the performance of AZO anode organic electroluminescent devices. The mechanism of action of Al2O3 buffer layer was analyzed. The results show that the current efficiency of the device after applying 1.5 nm buffer layer is 3.4 times that of the simple AZO anode device and also higher than that of the conventional ITO device.
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