用于电子传输材料的含噻吩环噁二唑衍生物的合成(英文)

来源 :有机化学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yueer40849263
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在有机电致发光器件研究中,电子传输材料占有特殊重要的地位。但现存的材料存在着不同的缺点。因噁二唑环的高的电子亲和性,噁二唑衍生物是常见的电子传输材料,如:2-(4- 叔丁苯基)-5-联苯基噁二唑(PBD),但容易结晶和低的电子亲和性限制了它的应用。为了得到新的有效的电子传输材料,本文以噻吩为起始反应物经过二碘代、羧酸化、酯化、氨解等步骤合成了噻吩二酰肼,再通过噻吩二酰肼与相应的取代苯甲酰氯缩合、关环的方法将富电子的噻吩环和高电子亲和性的噻吩环同时引入,合成了三种新的含噻吩环噁二唑衍生物2,5-双[2,2’-双(5-取代苯基)-1,3,4-噁二唑]噻吩(R-OXD R=H,OCH_3,CH_3)。同时,采用循环伏安法对其电化学性能进行了测定。这三种化合物都在负方向出现了-对可逆的氧化还原峰,由此得到其电子亲和势(EA)分别为-3.10eV,-3.07eV和-3.08eV,其EA值都高于常用的电子传输材料PBD。R-OXD的高电子亲和势有利于电子从阴极注入。并且由时间渡越法(TOF)测得R-OXD的电子迁移率达到10~(-4)cm~2/V.S(E=10~6V/cm)。所以R-OXD有可能是好的电子传输材料。 In the study of organic electroluminescent devices, electron transport materials occupy a particularly important position. However, existing materials have different shortcomings. Due to the high electron affinity of oxadiazole rings, oxadiazole derivatives are common electron transport materials, such as 2- (4-tert-butylphenyl) -5-biphenyloxadiazole (PBD) But easy to crystallize and low electron affinity limits its application. In order to get a new and effective electron transport material, thiophene dihydrazide was synthesized by the reaction of diiodo, carboxylation, esterification and ammonolysis with thiophene as the starting material. Thiophene dihydrazide and corresponding substitution Benzoyl chloride condensation, ring-closure method The electron-rich thiophene ring and high electron affinity thiophene ring simultaneously introduced three new thiophene ring containing oxadiazole derivatives 2,5-bis [2,2 ’-bis (5-substituted phenyl) -1,3,4-oxadiazole] thiophene (R-OXD R = H, OCH 3, CH 3). At the same time, the electrochemical performance was measured by cyclic voltammetry. All three compounds appeared in the negative direction-reversible redox peaks, which gave their electron affinities (EA) of -3.10eV, -3.07eV and -3.08eV, respectively, with higher EA values ​​than the commonly used Of the electron transport material PBD. The high electron affinity of R-OXD favors the injection of electrons from the cathode. The electron mobility of R-OXD was 10 -4 cm 2 / V.S (E = 10 ~ 6V / cm) measured by time-of-flight method (TOF). So R-OXD may be a good electron transport material.
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