论文部分内容阅读
介绍了应变Si材料的需求背景和必要性。阐述了在MOS器件中使用衬底致双轴应变后器件性能的改善，在总结了与工艺致单轴应变相比衬底致双轴应变的不足以及工艺致单轴应变的优势之后，讲述了基于SiGe源漏和基于双应力线的两种工艺致单轴应变技术及其对MOS器件性能的提高。简单介绍了国际上近年来对应变Si材料与器件的研究发展状况和应变Si技术达到的各种水平，以及国内对应变Si的研究状况，并对应变Si技术的使用优势和应用前景做了简单分析。