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<正> 一、引言 随着大规模集成电路和超大规模集成电路技术的发展,MOS器件的尺寸日益缩小,它的性能不能再用一个简单的一维分析公式来我达。为了精确地确定小尺寸MOS器件的性能及保证设计工作的正确性,必须研究二维,三维情形。差分方法的二维MOS器件模拟,已发展得比更多还原
MOS器件二维有限元分析
【摘 要】
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<正> 一、引言 随着大规模集成电路和超大规模集成电路技术的发展,MOS器件的尺寸日益缩小,它的性能不能再用一个简单的一维分析公式来我达。为了精确地确定小尺寸MOS器件的性
【机 构】
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西安交通大学,西安交通大学
【出 处】
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工程数学学报
【发表日期】
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1989年2期
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