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求文在消化、吸收入NSA工艺的基础上，根据现有设备重．点研究CD8690CP、CD8759CP等R极模拟VLSI制造过程中多晶硅发射极晶体管界面氧化层的生长条件，借以提高VLSI性能和成品率。
多晶硅发射极晶体管界面氧化层生成的研究
【摘 要】
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求文在消化、吸收入NSA工艺的基础上，根据现有设备重．点研究CD8690CP、CD8759CP等R极模拟VLSI制造过程中多晶硅发射极晶体管界面氧化层的生长条件，借以提高VLSI性能和成品率。
【机 构】
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中国华晶电子集团公司双极电路总厂!无锡,214061
【出 处】
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微电子技术
【发表日期】
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1998年1期
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