纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器的研制

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通过采用独特的Zn—Bi—Sb—Si—Ti配方体系,并在此配方体系中加入稀土材料ErgO3,可实现瓷体材料在950℃以下烧结;同时通过采用850℃的银浆作为内电极,按常规的片式压敏生产工艺,可生产出纯Ag内电极高性能多层片式压敏电阻器。其压敏电压为39V,非线性系数为30以上。泄漏电流21a.A以下,做成0805尺寸的器件,其峰值电流(8/20μS)可达100A,能量耐量(10/1000μS)可达0.3J。
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