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SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分析薄膜应变所用的弹性力学和板壳理论。
碳化硅压力传感器结构仿真及优化
【摘 要】
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SiC半导体材料因具备较大的禁带宽度、高临界电场强度、高热导率和高载流子饱和漂移速度而成为制作高温、高压、大功率及耐辐射电子器件的极有希望的材料。本文首先介绍了分
【机 构】
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中船重工（重庆）海装设备股份有限公司,大同大学物电学院
【出 处】
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电子世界
【发表日期】
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2017年22期
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