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利用分析电子显微术的方法研究了离子束增强沉积的Si基TiN薄脱及其与基体间过渡区的结构,发现在TiN薄膜和基体间存在约50nm厚的非晶Si过渡层,含微量Ti和N,TiN薄膜的晶粒尺寸均匀,小于10nm.
离子束增强沉积TiN薄膜及其界面的结构研究
【摘 要】
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利用分析电子显微术的方法研究了离子束增强沉积的Si基TiN薄脱及其与基体间过渡区的结构,发现在TiN薄膜和基体间存在约50nm厚的非晶Si过渡层,含微量Ti和N,TiN薄膜的晶粒尺寸
【机 构】
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冶金部钢铁研究总院,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室
【出 处】
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自然科学进展
【发表日期】
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1994年2期
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