【摘 要】
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用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅｐｎ结构．由电子束感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；在７７Ｋ正向偏压下观测到了以ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ量子阱为发光层的ＺｎＳｅｐｎ二极管蓝绿色电致发光
The ZnSepn structu
【机 构】
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中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室
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用常压ＭＯＣＶＤ方法制备了ＺｎＳｅｐｎ结构．由电子束感生电流像表明ｐｎ结的存在；用发光和Ｉ－Ｖ等方法研究了二极管的特性；在７７Ｋ正向偏压下观测到了以ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ量子阱为发光层的ＺｎＳｅｐｎ二极管蓝绿色电致发光
The ZnSepn structure was prepared by atmospheric MOCVD. The electron beam induced current shows the presence of pn junction. The characteristics of the diode are studied by luminescence and I-V methods. The ZnSepn diode with ZnCdSe-ZnSe quantum well as the light-emitting layer is observed at 77K forward bias. Electroluminescence
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