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本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4×10~9cmHz~(1/2)/W,瞬态响应时间为1.2ns(FWHM).
InAsPSb／InAs中红外光电探测器
【摘 要】
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本文报告了采用外延工艺研制的InAsPSb/InAs中红外(1—3.2μm)光电探测器.该器件为台面型结构,响应波长与氟化物光纤的低损耗窗口相匹配,在室温零偏压条件下峰值探测率达4
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,中国科学院上海冶金研究所微电子学分部上海200233,上海200233,上海200233
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1992年10期
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