Bi2O3含量对NiCuZn旋磁铁氧体基板材料性能的影响

• 作 者: 任凭 刘颖力 朱华 张怀武
• 机 构: 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
• 出 处: 磁性材料及器件
• 发表日期: 2010年1期
• 关键词: NICUZN铁氧体 Bi2O3掺杂 旋磁性能 低温烧结 NiCuZn ferrite Bi2O3 addition gyromagnetic propert

采用氧化物法制备了NiCuZn铁氧体材料，研究了Bi2O3掺杂对其旋磁性能的影响。结果表明，在1-4wt％的范围内，随着Bi2O3含量的提高，铁磁共振线宽△H和介电损耗角正切tgδε都呈现出先减小后上升的趋势；并且在掺杂量为3wt％、烧结温度为900℃时，AH〈15kA／m、tgδε=6．5×10^-4、Ms〉300kA／m，可用于低温共烧旋磁铁氧体基板的制备。