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分析了SiC单晶片研磨过程的材料去除机理，采用统计方法描述了磨粒粒度的分布规律，推导出参与研磨过程的活动磨粒数量计算公式。依据SiC单晶片一磨粒和研磨盘一磨粒接触处的变形情况，建立了SiC单晶片研磨过程材料去除率（MRR）的预测模型。以该模型为基础，讨论了研磨盘硬度、压力和磨粒粒度等因素对MRR的影响，并进行了相同条件下的研磨试验。理论计算与试验结果对比分析表明：所建立的模型可以较准确地预测SiC单晶片研磨过程的MRR；为其他单晶材料研磨过程MRR的预测和控制提供了参考依据。