【摘 要】
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本文研究了微波晶体管电流增益H_FE和基极电流非理想因子n随温度变化的机理,给出了电流增曾H_FE的温度模型,指出:(1)中电流时电流增益H_PE具有正温度系数,而在小电流时随温度
【机 构】
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东南大学微电子中心,东南大学微电子中心,东南大学微电子中心 南京,南京,南京
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本文研究了微波晶体管电流增益H_FE和基极电流非理想因子n随温度变化的机理,给出了电流增曾H_FE的温度模型,指出:(1)中电流时电流增益H_PE具有正温度系数,而在小电流时随温度上升迅速增大,在大电流时增大减缓,并会出现负增值,(2)基极电流非理想因子n具有负温度系数.实验结果和理论分析一致.
In this paper, the mechanism of temperature dependence of current gain H_FE and base current non-ideality factor n of microwave transistor is studied. The temperature model of current gain H_FE is given. It is pointed out that: (1) current gain H_PE has a positive temperature coefficient (2) base current non-ideality factor n has a negative temperature coefficient.The experimental results are consistent with the theoretical analysis.
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