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根据DFT/B3LYP的计算结果, 从能带、态密度和电子结构的变化, 讨论了以C-C 键替换B-N 键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性. 结果表明, 替换后硼氮纳米管的导电性能增强, 并且可以通过控制替换的量来调节管的半导体性能.
碳掺杂硼氮纳米管导电性的理论研究
【摘 要】
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根据DFT/B3LYP的计算结果, 从能带、态密度和电子结构的变化, 讨论了以C-C 键替换B-N 键的二碳和四碳掺杂的硼氮纳米管的导电性. 结果表明, 替换后硼氮纳米管的导电性能增强,
【机 构】
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哈尔滨师范大学化学系
【出 处】
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高等学校化学学报
【发表日期】
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2005年2期
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